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突破工艺边界,奎芯科技LPDDR5X IP硅验证通过,速率达9600Mbps

来源 : 奎芯科技 2026-04-17 15:04    点赞数:       阅读量:0   

上海2026年4月17日 /美通社/ -- 近日,奎芯科技自主研发的LPDDR5X PHY IP在8nm工艺上顺利完成流片验证。实测不仅稳定达到9600Mbps速率,更超频跑通10.8Gbps,展现出在先进工艺节点上挑战极致带宽的非凡能力,为高性能计算、AI边缘计算等场景提供了高性价比的内存接口方案。

满血性能:从标准到巅峰的跨越

突破工艺边界,奎芯科技LPDDR5X IP硅验证通过,速率达9600Mbps0

2-rank DRAM测试子板挂载方案

本次流片验证采用了挂载2-rank DRAM测试子板的方案,全面覆盖了从低速到极速的工作场景。

满血达标:该IP在1000Mbps至9600Mbps的速率范围内实现了DLL的精准锁定。

极致突破:在完成8533Mbps和9600Mbps标准读写测试的基础上,该IP成功实现了10.8Gbps的超频运行。

信号质量:示波器实测眼图显示(见下图),在10.8Gbps超高带宽下,眼图清晰、裕量充足,PHY IO驱动能力与信号完整性优异。

突破工艺边界,奎芯科技LPDDR5X IP硅验证通过,速率达9600Mbps1

10.8Gbps速率下实测眼图,眼宽与眼高裕量充足

技术深耕:全栈功能验证通过

报告指出,该LPDDR5X IP在硬件电路与固件算法层面均达到了商用就绪标准:

核心电路稳健:PHY PLL工作正常,输出频率符合寄存器预期读取值;ZQ电阻校准与IO配置均符合设计预期。

软件算法成熟:关键的SW Training环节实现全项通过,包括DCC、CBT、Write Leveling以及复杂的Read/Write DQ 1D/2D Training。这确保了该IP能够自动适配不同环境,为客户提供"即插即用"的稳定体验。

高负载支持:成功通过2-rank DRAM挂载测试,证明了其在大容量、重负载应用场景下的可靠性。

上述全栈功能验证的通过,意味着该IP已具备商用就绪能力。对客户而言,采用奎芯科技的LPDDR5X IP:

在8nm工艺上即可获得原本需更先进制程才能实现的内存带宽; "硅验证+完整训练算法"大幅降低集成风险,缩短芯片上市周期。

突破工艺边界,奎芯科技LPDDR5X IP硅验证通过,速率达9600Mbps2

奎芯LPDDR5X IP:先进制程下的高性能之选

在高性能计算、智能座舱、边缘AI应用及高端移动设备领域,内存带宽和功耗已成为核心瓶颈。此次基于知名FAB 8nm工艺的LPDDR5X IP成功验证,是奎芯科技IP业务为业界带来的又一高性能产品。

未来,我们将继续致力于为全球SoC厂商提供更具竞争力的先进连接方案,助力AI与高性能计算时代的产业升级。

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