意法半导体STGAP3S 系列用于碳化硅 （SiC） 和 IGBT 功率开关的栅极驱动器将意法半导体最新的稳健性电流隔离技术与优化的去饱和保护和灵活的米勒箝位架构相结合。

该 STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间具有增强的电容电流隔离，可承受 9.6kV 瞬态隔离电压 （VIOTM） 和 200V/ns 共模瞬态抗扰度 （CMTI）。凭借其最先进的隔离功能，STGAP3S 提高了空调、工厂自动化和家用电器等工业应用电机驱动器的可靠性。新驱动器还用于电力和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 （PFC）、DC/DC 转换器和太阳能逆变器。

STGAP3S 产品系列包括具有 10A 和 6A 电流能力的不同选项，每个选项都提供不同的欠压锁定 （UVLO） 和去饱和干预阈值。这有助于设计人员选择最佳器件，以匹配他们选择的 SiC MOSFET 或 IGBT 功率开关的性能。

去饱和保护为外部电源开关实现过载和短路保护，从而可以使用外部电阻器调整关断策略，以最大限度地提高保护关断速度，同时避免过高的过压尖峰。欠压锁定保护可防止在驱动电压不足时导通。

该驱动器的集成米勒箝位架构为外部 N 沟道 MOSFET 提供了一个预驱动器。因此，设计人员可以利用灵活性来选择合适的干预速度，以防止感应导通并避免交叉传导。

可用的器件型号允许选择 10A 灌电流/拉电流和 6A 灌电流/拉电流驱动电流能力，以实现最佳性能，所选功率开关具有针对 IGBT 或 SiC 技术优化的去饱和检测和 UVLO 阈值。去饱和、UVLO 和过热保护的故障情况由两个专用的漏极开路诊断引脚通知。

STGAP3SXS 现已投产，采用 SO-16W 宽体封装，1000 件起价为 2.34 美元。请联系您的 ST 销售办事处，了解定价选项和样品申请。

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