Nexperia 的新型 120 V/4 A 半桥栅极驱动器提高了汽车应用的稳健性和效率

Nexperia 今天推出了一系列新的高性能栅极驱动器 IC，旨在驱动同步降压或半桥配置中的高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。这些器件提供高电流输出和出色的动态性能，提高了应用的效率和稳健性。符合汽车标准的 NGD4300-Q100 是电子动力转向和动力转换器的理想选择，而 NGD4300 设计用于消费设备、服务器和电信设备中的 DC-DC 转换器，以及各种工业应用中使用的微型逆变器。

这些 IC 中的浮动高侧驱动器可在高达 120 V 的总线电压下工作，并使用带有集成二极管的自举电源，这些功能可简化整体系统设计并有助于减小 PCB 尺寸。它们可提供高达 4 A（峰值）的拉电流和 5 A 的灌电流，即使在重负载下也能保证较短的上升和下降时间。栅极驱动器具有 13 ns 的低延迟，并提供仅 1 ns 的出色通道间延迟匹配。这些延迟明显低于类似的竞争栅极驱动器，并有助于通过最大化开关占空比来最小化死区时间。4 ns 上升和 3.5 ns（典型值）下降时间有助于提供更高的效率，并支持高频和快速系统控制。这些栅极驱动器接受符合 TTL 和 CMOS 逻辑电平的输入控制信号。

“这些器件是我们新的高性能半桥栅极驱动器产品组合中的第一款产品，”Nexperia IC 解决方案业务集团总经理 Irene 邓 （Irene Deng） 表示。此次发布展示了Nexperia如何利用工艺创新来响应对稳健型栅极驱动器的快速增长的需求，这些栅极驱动器可以提高功率转换器的效率，同时在消费电子、工业和汽车应用中提供更流畅的电机控制。

为了在功率转换和电机驱动应用中实现卓越的稳健性，这些 IC 采用绝缘体上硅 （SOI） 工艺制造。这使得 HS 引脚的负电压容差扩展到 -5 V，从而显著降低了系统寄生元件和意外尖峰造成的损坏风险。NGD4300 和 NGD4300-Q100 提供 DFN-8、SO-8 和 HSO-8 封装选择，使工程师能够根据应用要求灵活地在器件尺寸和热性能之间进行权衡。

要了解有关 Nexperia 栅极驱动器 IC 的更多信息，请访问：https://www.nexperia.com/products/analog-logic-ics/power-ics/gate-drivers/half-bridge-gate-drivers

关于 Nexperia

Nexperia 总部位于荷兰，是一家全球性的半导体公司，在欧洲、亚洲和美国拥有 15,000 多名员工，拥有悠久的欧洲历史。作为基本半导体开发和生产的领先专家，Nexperia 的元器件实现了世界上几乎所有电子设计的基本功能——从汽车和工业到移动和消费类应用。

该公司为全球客户群提供服务，每年交付超过 1000 亿件产品。这些产品在工艺、尺寸、功耗和性能方面被公认为效率的基准。Nexperia 对创新、效率、可持续性和严格行业要求的承诺体现在其广泛的 IP 产品组合、不断扩大的产品系列以及 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 ISO 45001 标准认证中。

Nexperia 今天推出了一系列新的高性能栅极驱动器 IC，旨在驱动同步降压或半桥配置中的高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。这些器件提供高电流输出和出色的动态性能，提高了应用的效率和稳健性。符合汽车标准的 NGD4300-Q100 是电子动力转向和动力转换器的理想选择，而 NGD4300 设计用于消费设备、服务器和电信设备中的 DC-DC 转换器，以及各种工业应用中使用的微型逆变器。

这些 IC 中的浮动高侧驱动器可在高达 120 V 的总线电压下工作，并使用带有集成二极管的自举电源，这些功能可简化整体系统设计并有助于减小 PCB 尺寸。它们可提供高达 4 A（峰值）的拉电流和 5 A 的灌电流，即使在重负载下也能保证较短的上升和下降时间。栅极驱动器具有 13 ns 的低延迟，并提供仅 1 ns 的出色通道间延迟匹配。这些延迟明显低于类似的竞争栅极驱动器，并有助于通过最大化开关占空比来最小化死区时间。4 ns 上升和 3.5 ns（典型值）下降时间有助于提供更高的效率，并支持高频和快速系统控制。这些栅极驱动器接受符合 TTL 和 CMOS 逻辑电平的输入控制信号。

“这些器件是我们新的高性能半桥栅极驱动器产品组合中的第一款产品，”Nexperia IC 解决方案业务集团总经理 Irene 邓 （Irene Deng） 表示。此次发布展示了Nexperia如何利用工艺创新来响应对稳健型栅极驱动器的快速增长的需求，这些栅极驱动器可以提高功率转换器的效率，同时在消费电子、工业和汽车应用中提供更流畅的电机控制。

为了在功率转换和电机驱动应用中实现卓越的稳健性，这些 IC 采用绝缘体上硅 （SOI） 工艺制造。这使得 HS 引脚的负电压容差扩展到 -5 V，从而显著降低了系统寄生元件和

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