三星发布采用12纳米级工艺的32Gb DDR5 DRAM

（全球TMT2023年9月1日讯）2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就。 在最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，三星可以研发出实现1TB内存模组的解决方案。

最新开发的32Gb DDR5内存颗粒，采用前沿的工艺技术，提高了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔(TSV)工艺也能够生产128GB内存模组。与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。

声明： 本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载内容（文章、图片、视频等资料）的版权归原网站所有。如我们转载或使用了您的文章或图片等资料的，未能及时和您沟通确认的，请第一时间通知我们，以便我们第一时间采取相应措施，避免给双方造成不必要的经济损失或其他侵权责任。如您未通知我们，我们有权利免于承担任何责任。 我们的联系邮箱：news@cecb2b.com。