三星半导体创新技术解决方案能有效突破内存墙限制

（全球TMT2023年8月10日讯）8月10日，三星半导体在第五届OCP China Day 2023（开放计算中国技术峰会）上分享了两大应对内存墙限制的创新技术解决方案和开放协作的业务战略。三星电子副总裁，半导体事业软件开发团队负责人张实完（Silwan Chang）表示：“当前内存技术的发展正面临内存墙限制的挑战。我们的首要解决方案是引入主动存储（Active Memory）建立全新内存层次结构，其次是发展以数据为中心的计算技术。”

三星半导体在峰会上介绍了面向人工智能和机器学习而研发的创新技术，能够有效突破内存墙限制的存储解决方案，例如面向高性能计算优化的高带宽存储“HBM3 Icebolt”，它能够在处理器旁提供高速性能和大容量内存，具有高达819GB/s的性能和24GB的内存容量；以及可以增加内存容量，提高能效的内存解决方案“CXL存储扩展器（CXL Memory Expander）”，和同样基于CXL协议，能够在内存和存储之间高效迁移数据的“存储器-语义固态硬盘（Memory-Semantic SSD）”。

去年，三星推出了全球其首款用于服务器PCIe 5.0的固态硬盘PM1743，PM1743预计将在今年部署到需要超高性能的生成式人工智能应用中。三星特别介绍了通过OCP首次在中国公开展示的超高性能PCIe 5.0数据中心专用SSD——PM9D3a。它最大的优势在于PM9D3a是一款能提供每TB 50KIOPS随机写入性能（最大8TB）的8通道产品。与上一代产品相比，随机性能提高了1.8倍，能效提高了1.6倍。PM9D3a已完成开发工作，预计于明年上半年将推出多种形态的产品以满足客户的需求。同时，三星还分享了新的千兆级超高容量闪存解决方案“PBSSD”，它将三星最新的V-NAND技术与各种内存/存储设备相结合，提供高性能、大容量和高能效的存储。

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