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三星电子研发出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

来源 : 三星半导体 2023-05-12 13:00    点赞数:       阅读量:0   

基于先进CXL 2.0的128GB CXL DRAM将于今年量产,加速下一代存储器解决方案的商用

三星将继续与全球数据中心、服务器、芯片企业合作,扩大CXL生态系统

深圳2023年5月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布,研发出其首款支持Compute Express Link™(CXL™)2.0的128GB DRAM。同时,三星与英特尔密切合作,在英特尔®至强®平台上取得了具有里程碑意义的进展。

继2022年五月,三星电子研发出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM(内存扩展器)后,又继续推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,预计将加速下一代存储解决方案的商用化。该解决方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高达每秒35GB的带宽。

三星电子研发出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM0

可扩展内存(Memory Expander)

“作为CXL联盟的董事会成员,三星电子在CXL技术上一直处于前沿地位,”三星电子新业务企划副总裁Jangseok Choi表示,“这一突破性的进展强化了我们通过与全球各地的数据中心、企业级服务器和芯片公司合作,进一步扩大CXL生态系统的决心。”

英特尔公司技术创新总监Jim Pappas表示:“英特尔很高兴与三星合作,共同投资一个充满活力的CXL生态系统。英特尔将继续与三星携手,促进创新CXL产品在整个行业的发展和采用。”

澜起科技总裁Stephen Tai表示:“澜起科技很高兴能够量产第一批支持CXL 2.0的控制器,我们期待与三星继续加强合作,推进CXL技术发展并扩大其生态系统。”

CXL 2.0是三星有史以来第一个支持内存池(Pooling)的产品。内存池是一种内存管理技术,它将服务器平台上的多个CXL内存块绑定在一起,形成一个内存池,使多个主机能够根据需要从池中动态分配内存。这项新技术使客户尽可能的降本增效,从而帮助企业将有限的资源重新投资于增强服务器内存中去。

三星电子研发出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM1

CXL2.0 内存池

三星电子计划于今年年底之前开始量产这一最新的CXL 2.0 DRAM,并准备推出多种容量的产品,以满足快速变化的下一代计算市场,进一步加速扩大CXL生态系统。

CXL作为下一代内存可扩展设备,能够为高性能服务器系统中与CPU一起使用的加速器、DRAM和存储设备提高效率。由于它与主内存(main DRAM)共同使用时可扩大带宽和容量,该技术的进步有望在人工智能(AI)和机器学习(ML)等核心技术,对处理高速数据的需求极大增加的下一代计算市场引起轰动。

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