摘要

本文提供有关在创建IBIS模型时如何使用LTspice^®的说明指南，涵盖从IBIS预建模程序到IBIS模型验证的整个过程。本文还详细介绍如何在LTspice中为IBIS模型准确提取I-V、V-T、斜坡和C_comp数据。此外，还提供定性和定量FOM方法，用于验证IBIS模型的性能。该应用案例展示了为假设的ADxxxx三态数字缓冲器开发IBIS模型的过程，其中包含适合输入和三态CMOS接口的可用IBIS模板，有助于即刻开始创建您的IBIS模型。

简介

在构建任何系统时，仿真都发挥着关键作用。它帮助设计人员预见问题，进而避免费时且成本高昂的修改。我们的目标始终是一次就成功！在仿真高速数字接口时，如果设计不当，简单的PCB走线可能会影响信号质量。在信号完整性仿真中，IBIS（输入/输出缓冲器信息规范）模型用来表示器件的数字接口。

如IBIS系列文章的第1部分所述，IBIS是一个行为模型，通过以表格形式列出的电流与电压(I-V)和电压与时间(V-T)数据来描述器件的数字接口的电气特征。IBIS模型应尽量准确，且不含任何解析错误，避免在之后使用时出现问题。此外，对于具有数字接口的每个部件或器件，都应该提供可用的IBIS模型。这样客户需要时，可直接从制造商的网页上下载。但是，事实并非总是如此。对于IBIS模型用户，他们常遇到的一个问题就是模型的可用性。当他们在设计中选用的部件没有IBIS模型时，其产品开发可能受阻。

IBIS模型最好是由其制造商提供；但是，用户也可以创建IBIS模型。本文介绍如何使用LTspice，基于SPICE模型创建最基础的IBIS模型。下文使用IBIS建模手册（IBIS 4.0版）中的规格来介绍LTspice仿真设置。还要介绍如何使用定性和定量品质因数来验证IBIS模型。

何谓“最基本的”IBIS模型？

为了帮助客户使用LTspice创建基本的IBIS模型，需要先定义“基本”一词。基本的IBIS模型不仅取决于I/O模型关键字，还取决于需要建模的数字缓冲器的类型。这意味着需要重新审视IBIS的早期版本，以定义建立缓冲器模型需要满足的要求，以及当时建模的数字接口的类型。事实证明，单端CMOS缓冲器是可以使用IBIS建模的最简单的数字IO之一，本文将予以介绍。

图1.3态CMOS缓冲器的IBIS模型

表1.基于Model_type的IBIS模型组件汇总

图1显示3态CMOS缓冲器IBIS模型的结构。如第1部分所述，IBIS模型中的组件或关键字取决于模型类型。表1汇总列出基本的IBIS模型的组件，具体由Model_type决定。

应用案例

在本文中，我们将使用一个假设的ADxxxx器件的LTspice模型来创建IBIS模型。它是一个带有使能引脚的单输入和单输出数字缓冲器。因此，得到的IBIS模型将具有两个输入（DIN1和EN）、一个三态输出(DOUT1)。

一般来说，生成IBIS模型有五个基本步骤：

u 建立预建模程序。

u 对从SPICE模型中提取的C_comp、V-I和V-T数据进行LTspice仿真。

u 格式化IBIS文件。

u 使用IBIS解析器测试检查文件。

u 比较IBIS模型与SPICE模型在相同加载条件下的仿真结果。

IBIS模型提供典型数据、最小数据和最大数据。它们通过工作电源电压范围、温度和工艺来确定[HA1] 。为简洁起见，本文只讨论典型条件。

Ibischk Golden Parser系列可用于检查IBIS模型是否符合IBIS规范。ibischk可执行文件可从IBIS.ORG网页免费获取。本文使用集成ibischk的第三方IBIS模型编辑软件。

预建模程序

在开始仿真之前，用户应该下载器件的数据手册，并安装SPICE模型和LTspice文件。通过确定部件具备的数字接口数量和类型（例如，输入、开漏、三态等），对部件进行初始评估。

根据器件数据手册，确定工作电源电压、工作温度、集成电路(IC)封装类型、器件引脚排列、数字输出时序规格的加载条件（R_Load和/或C_Load），以及数字输入的低电平输入电压(V_INL)和高电平输入电压(V_INH)。ADxxx SPICE模型如图1所示，其指标参数列在表2。

通过使用关键字，将有关器件数字接口的所有信息汇集到一个IBIS文件中。关键字是IBIS模型中用括号括起来的标识符，如第1部分所述。更多详细信息请参阅此部分内容。

图2.Adxxxx 3态数字缓冲器SPICE模型。

表2.ADxxxx数据手册参数

与IC封装模型相关的关键字是[Package]。它包含RLC（电阻-电感-电容）寄生参数，代表从芯片焊盘到IC焊盘/引脚的连接。此信息可从制造商处获得。也可以查找另一个IBIS文件的[Package]数据，只要该器件采用的封装与正在评估的器件完全相同，并且来自同一制造商。6引脚SOT-23封装的器件封装寄生参数如表3所示。

表3.6引脚SOT-23封装寄生参数

器件引脚排列如表4所示。关键字[Pin]用于描述引脚及其对应的模型名称。[Pin]一般为3列格式。列是引脚编号，第二列是引脚描述，第三列是模型名称。有些封装包含[HA2] 类似的引脚（VCC、GND）。这些引脚可以按模型分组和描述。在这种情况下，由于SPICE模型没有给出有关内部晶体管级原理图的信息，因此最好为每个数字接口创建单独的模型。在IBIS文件中，模型名称“Power”和“GND”用于命名电源和接地引脚。非数字接口和“请勿连接”引脚则描述为“NC”或无连接。请注意，模型名称是区分大小写的。由于在稍后的建模程序中还会用到，所以需给出具体的模型名称。

表4.ADxxxx引脚列表

ADxxxx真值表如表5所示。这在建立LTspice仿真时非常有用。还必须要知道如何将DOUT1引脚设置为高阻抗（高阻）模式、逻辑1和逻辑0。

表5.ADxxxx真值表

LTspice设置和仿真

一般来说，IBIS模型通过前面提到的I-V（电流与电压）和V-T（电压与时间）数据描述数字缓冲器的行为。进行IBIS建模时，每种类型的数字接口都拥有[HA3] 一组自己的I-V和/或V-T数据，如表1所示。表6更加详细地列出了这些数据集。注意查看每个数据集的注释。那些标记为“推荐”的数据，表示这些数据缺失不会在ibischk解析器测试中导致误差。但是，这些数据集对通道仿真有一定的作用。例如，钳位数据有助于分析信号反射。

表6.输入和3态接口的I-V和V-T数据集

[Power_Clamp]和[GND_Clamp]

 

图3.[Power_Clamp]和[GND_Clamp]关键字结构的概念图

[GND_Clamp]和[Power_Clamp]通过以表格形式列出的I-V数据显示数字缓冲器的静电放电(ESD)器件的行为。[Power_Clamp]表示以VDD为基准的ESD器件的整体行为，接地箝位表示以GND为基准的ESD器件的整体行为。

在LTspice中，I-V数据可以使用.DC SPICE命令/指令进行测量。DOUT1的接地箝位用图4所示设置进行测量。在该设置中，使用适当的电源电压将该器件配置为高阻态模式（请参见表5）。这可以确保将ESD器件与核心电路隔离。VSWEEP是以GND为基准的扫描电压。使VSWEEP基准电压接地，确保只显示GND箝位ESD器件的特征。

根据IBIS规格，应扫描电压轨以外（最好从-VDD到2 × VDD）的I-V数据，本例中是从–1.8 V到+3.6 V。通过直接执行此操作，扫描VDD以外的电压将会开启电源箝位ESD器件。为了避免这种情况，首先在–1.8 V至+1.8 V范围内扫描VSWEEP，并使用外推方法添加3.6 V数据点。此方法适用于所有I-V数据集。

另外，请注意所有I-V数据集最多只接受100个数据点。如果数据点超过这个数目，在ibischk解析器测试中会提示错误。设置.DC命令的增量，使得到的数据点数量小于或等于99。这是为了容纳用于2 × VDD外推的一个额外数据点。

进行直流扫描时，仿真中可能出现非常大的反向电流。要解决这个问题，将起始扫描从近似二极管势垒电位(-0.7 V)设置为VDD (+1.8 V)。然后将数据外推至符合–VDD至2 × VDD I-V数据。另一种方法是将一个小电阻Rser与VSWEEP串联，以限制极端电流。

 

图4.ADxxxx DOUT1接地箝位设置

单击运行按钮，LTspice开始运行仿真。由于正在评估DOUT1，所以目标节点为Ix(U1:DOUT1)。虽然从技术角度来看I(VSWEEP)也是正确的，但IBIS模型需要Ix(U1:DOUT1)上的电流极性。这是为了最大限度减少I(VSWEEP)数据的进一步格式化，使其适合模型。结果应该如图5所示。仿真完成后，先单击结果窗口保存数据，然后单击文件 -> 将数据导出为文本。导航至要保存的目录，单击受测节点，然后单击OK（如图6所示）。

 

图5.接地箝位仿真结果

 

图6.将仿真数据导出为文本

[Power_Clamp]数据提取与接地箝位设置类似，因此扫描电压VSWEEP以VDD为基准。设置和结果如图7所示。

 

图7.ADxxxx OUT1电源箝位设置和结果

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